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公司應邀參加第三屆熱管理材料與技術高峰論壇

公司應邀參加第三屆熱管理材料與技術高峰論壇

論壇概況:第三屆熱管理材料與科技高峰論壇,于2022年7月29日在東莞喜來登大酒店順利召開。論壇旨在搭建和提供熱管理材料行業“產學研用”的溝通交流平臺,對接融合產業鏈各環節創新性的技術與需求。論壇報告涉及熱管理材料領域的科學、技術和工程等多方面問題,今年論壇特別關注了金屬基復合材料在熱管理領域的發展情況。

論壇會場

 

中科院寧波材料所林正得研究員開幕致辭

精彩報告

 

鄧中山,公司CTO

演講題目:面向5G領域的液態金屬前沿技術研究與應用

液態金屬是一大類物理化學行為十分獨特的前沿新材料,室溫或工作溫度下呈液態,具有導電性強、熱導率高、液態溫區寬等典型特性,正在為多個領域的應用提供重要解決方案。本報告主要介紹團隊近年來面向5G領域應用的液態金屬前沿技術研究及產業化工作,包括液態金屬流體冷卻技術、導熱技術以及相變熱控技術的提出、發展與應用,液態金屬可重構天線及射頻開關技術,液態金屬印刷電子技術等。

 

黃竹鄰,中興通訊終端硬件系統設計總工

演講題目:5G終端熱設計對熱材料的探索

本演講從熱設計的基礎理論談起,介紹了5G終端熱設計的幾個研究方向,并以實例的方式闡述目前5G終端熱設計的挑戰,希望和大家一起商討5G終端熱設計的優秀解決方案。

 

郭懷新,中國電子科技集團公司第五十五研究所高級工程師

演講題目:GaN功率器件片內熱管理應用分析

氮化鎵電子器件,尤其是HEMT器件,近幾年在大功率、高集成度應用方面都取得了巨大進步。然而,高功率密度的發展受限于其自生熱和近結區散熱能力引起器件結溫升高問題,嚴重導致器件性能下降,使GaN器件的高功率性能優勢遠未發揮。因此,器件芯片級熱管理已成為大功率器件研發和應用領域的一個重要研究方向。為此,本報告對近年來國內外正在開展GaN功率器件熱管技術進行分析,結合本團隊的研究進展,系統評估GaN器件片內熱管理應用面臨的技術挑戰。

辛國慶,華中科技大學教授

演講題目:功率電子器件封裝關鍵材料

基于SiC/GaN寬禁帶半導體材料的電力電子器件正在崛起,與硅基功率器件相比,這類電力電子器件具有耐高溫、耐高壓、可高頻工作,集成度更高等特點?,F有的基于硅基半導體的傳統模塊封裝材料與技術已經無法滿足SiC/GaN功率器件,在模塊耐溫性、可靠性、封裝寄生參數、散熱等方面都面臨著挑戰,因此亟需發展適用于SiC/GaN器件的先進封裝材料與技術。本次報告主要介紹功率電子器件的關鍵封裝材料,包括耐高溫灌封層,高導熱性勻熱基板及熱界面材料等。

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共有28名熱管理材料領域專家及企業研發帶頭人為此次論壇帶來“材料與技術、設計與方案”相關精彩報告。

活動交流

本次論壇由DT新材料傾力打造,得到了南方科技大學李保文院士、西北工業大學顧軍渭教授和中科院寧波材料所林正得研究員的悉心指導;也得到了廣東墨??萍加邢薰?、西北工業大學化學與化工學院、深圳先進電子材料國際創新研究院、寶安區5G產業技術與應用創新聯盟和粵港澳大灣區先進電子材料技術創新聯盟的大力協助及贊助單位和合作媒體對本次論壇的鼎力支持,前來參加的企事業單位、高校、科研院所更是高達200余家。

公司CTO鄧中山教授及副總經理張弟帶領公司團隊參加此次論壇,且本次論壇由公司特約贊助。


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